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- 商品型号
- BSS138-7-F
- 品牌
- Diodes
- RoHS
-
不符合
- PbFree
- Lead Free
- 商品描述
- N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
-
- 参数
- 数值
- 参数
- 数值
- RoHS标准
- RoHS Compliant
- 产品生命周期
- Active
- 含铅标准
- Lead Free
- REACH SVHC标准
- No SVHC
- 包装方式
- Tape & Reel (TR)
- 额定电压(DC)
- 50.0 V
- 宽度
- 1.3 mm
- 安装方式
- Surface Mount
- 额定电流
- 200 mA
- 长度
- 2.9 mm
- 引脚数
- 3
- 高度
- 1 mm
- 额定功率
- 0.3 W
- 封装
- SOT-23-3
- 功耗
- 300 mW
- 军工级
- Yes
- 极性
- N-Channel
- 通道数
- 1
- 阈值电压
- 1.2 V
- 针脚数
- 3
- 输入电容
- 50.0 pF
- 工作温度
- -55℃ ~ 150℃
- 漏源极电阻
- 1.4 Ω
- 连续漏极电流(Ids)
- 200 mA
- 漏源极电压(Vds)
- 50 V
- 栅源击穿电压
- ±20.0 V
- ECCN代码
- EAR99
- 输入电容值(Ciss)
- 50pF @10V(Vds)
- 额定功率(Max)
- 300 mW
- 工作温度(Max)
- 150 ℃
- 耗散功率(Max)
- 300mW (Ta)
- REACH SVHC标准版本
- 2015/12/17
- 晶体管极性
- N Channel
- 航空级
- Yes
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.5Ω/Ohm @220mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 描述与应用| N沟道增强型场效应 晶体管 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏
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正品保证
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