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- 商品型号
- SMUN5314DW1T1G
- 品牌
- ON Semiconductor
- RoHS
-
不符合
- PbFree
- Lead Free
- 商品描述
- 晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
-
- 参数
- 数值
- 参数
- 数值
- RoHS标准
- RoHS Compliant
- 产品生命周期
- Active
- 含铅标准
- Lead Free
- 包装方式
- Tape & Reel (TR)
- 安装方式
- Surface Mount
- 引脚数
- 6
- 封装
- SOT-363
- 功耗
- 0.385 W
- 极性
- NPN+PNP
- 击穿电压(集电极-发射极)
- 50 V
- 工作温度
- -55℃ ~ 150℃
- 集电极最大允许电流
- 100mA
- 最小电流放大倍数
- 80 @5mA, 10V
- ECCN代码
- EAR99
- 额定功率(Max)
- 187 mW
- 工作温度(Max)
- 150 ℃
- 工作温度(Min)
- -55 ℃
- 耗散功率(Max)
- 385 mW
Are you designing a digital processing circuit and are looking to apply the characteristics of traditional BJT"s within? Look no further than the npn and PNP SMUN5314DW1T1G digital transistor from ON Semiconductor. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. Its maximum power dissipation is 385 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a dual configuration.
售后保障
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百芯承诺
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正品保证
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